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你必须知道的电源技巧:EMI性能极易被毁掉

本文摘要:从进关节点到输出引线的少量寄生电容(100毫头顶法拉)不会让您无法符合电磁干扰(EMI)市场需求。那100fF电容器是什么样子的呢?在Digi-Key中,这种电容器不多。 即使有,它们也不会因宿主问题而获取明确的容差。 不过,在您的电源中很更容易寻找作为宿主元件的100fF电容器。只有处置好它们才能取得合乎EMI标准的电源。 图1是这些非计划中电容的一个实例。 图中的右侧是一个横向加装的FET,所带的进关节点与钳位电路伸延至了图片的顶部。

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从进关节点到输出引线的少量寄生电容(100毫头顶法拉)不会让您无法符合电磁干扰(EMI)市场需求。那100fF电容器是什么样子的呢?在Digi-Key中,这种电容器不多。

即使有,它们也不会因宿主问题而获取明确的容差。  不过,在您的电源中很更容易寻找作为宿主元件的100fF电容器。只有处置好它们才能取得合乎EMI标准的电源。  图1是这些非计划中电容的一个实例。

图中的右侧是一个横向加装的FET,所带的进关节点与钳位电路伸延至了图片的顶部。输出相连从左侧转入,抵达距漏近于相连1cm以内的方位。这就是故障点,在这里FET的电源电压波形可以跨过EMI滤波器耦合至输出。

  图1.进关节点与输出相连邻近,不会减少EMI性能  留意,漏极相连与输出引线之间有一些由输出电容器获取的屏蔽。该电容器的外壳相连至主短路,可为共模电流获取回到主短路的路径。如图2右图,这个微小的电容不会造成电源EMI亲笔签名远超过规范拒绝。  图2.宿主漏极电容造成远超过规范拒绝的EMI性能  这是一条令人注目的曲线,因为它体现出有了几个问题:显著远超过了规范拒绝的较低频率电磁辐射、共模问题一般来说很显著的1MHz至2MHz组件,以及较高频率组件的波动正弦(x)/x产于。


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