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三星64层256GBV-NAND闪存已进入量产

本文摘要:三星电子15日宣告,近期64层256GBV-NAND存储器已转入量产,与此同时,三星还将拓展包括服务器、PC与行动装置的储存解决方案。64层V-NAND存储器用称作第四代V-NAND芯片,南韩ITtimes报导认为,三星为巩固领先优势,想于年底把第四代芯片占到每月生产比重拉高至五成以上。只不过,三星今年1月已先为某关键客户,打造出第一颗含有64层V-NAND芯片的固态硬盘(SSD),自此之后,三星持续朝行动与消费型储存市场开发新应用于,力求与IT产业同步化。

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三星电子15日宣告,近期64层256GBV-NAND存储器已转入量产,与此同时,三星还将拓展包括服务器、PC与行动装置的储存解决方案。64层V-NAND存储器用称作第四代V-NAND芯片,南韩ITtimes报导认为,三星为巩固领先优势,想于年底把第四代芯片占到每月生产比重拉高至五成以上。只不过,三星今年1月已先为某关键客户,打造出第一颗含有64层V-NAND芯片的固态硬盘(SSD),自此之后,三星持续朝行动与消费型储存市场开发新应用于,力求与IT产业同步化。三星64层V-NAND存储器传输速度约每秒1Gb,市面上同类型内存产品中无人能出其右。

若与48层产品比起,64层存储器的省电效能大约高达三成,可靠性则减少大约两城。三星目前是NAND龙头,2016年市占率为36%,在第四代NAND芯片量产后,三星有可能相继调降第二、三代芯片价格,除可更进一步不断扩大市占到外,还将对美光、东芝、WesternDigital等同业导致降价压力。


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